6月18日～20日，應哈爾濱工業大學深圳研究生院材料科學與工程學科部張化宇教授的邀請，俄羅斯圣彼得堡國立電子技術大學微電子系泰洛夫·尤里(Tairov/Yury)教授來院講學，并與我院就科研和學生培養等方面達成了初步的合作意向。在此期間，泰洛夫·尤里還為我院師生作了“The growth and application of large-sized SiC crystal”（大尺寸碳化硅晶體的生長及其應用研究）的精彩學術講座。講座由張化宇教授主持，材料學科部的相關師生聆聽了講座。
　　碳化硅晶體作為第三代半導體新型材料，由于其優異的物理和化學等性能，在微電子和光電子器件領域得到廣泛應用，被視為一種關鍵的戰略材料。在本次講座中，泰洛夫·尤里教授首先簡要地介紹了圣彼得堡國立電子技術大學校況及其相關院系科研水平，著重闡述了其碳化硅晶體科研團隊在大尺寸碳化硅晶體的制備系統設計及制造、生長工藝探索及其應用研究等方面近五十年的研究歷程，展示了其最新的相關研究成果；最后針對碳化硅晶體生長及其應用領域未來的發展方向，進行了展望。
　　講座引起了與會師生的濃厚興趣。在講座結束后，師生們就有關自己感興趣的學術問題同泰洛夫·尤里教授進行了廣泛、深入的探討和交流。
　　
　　鏈接
　　尤里·泰洛夫教授簡介：
　　尤里·泰洛夫 科學博士/教授
　　圣彼得堡國立電子技術大學微電子系主任
　　圣彼得堡國立電子技術大學寬帶隙半導體實驗室主任
　　俄羅斯聯邦榮譽科學家
　　俄羅斯微電子專業教育委員會主席
　　主要研究成果簡介：
　　以尤里·泰洛夫教授為首的研發小組，針對碳化硅晶體的生長，于1978年發明了獨有的物理氣相傳輸法（PVT）法。該方法經過長期不斷的完善，也是目前制備大尺寸碳化硅晶體的最佳方法。該科研小組已掌握用于生長直徑為4～5英寸SiC晶體專用設備的設計及制造技術，并已成功研制出直徑為4英寸以上的大尺寸SiC晶體，相關技術水平處于國際領先地位。
　　尤里·泰洛夫教授作為碳化硅晶體生長領域的知名專家，在國內外高水平期刊發表論文近百篇，相關工作受到包括美國、瑞典、德國和法國等國際學術和產業界的廣泛重視和研發資助。