近期在國內(nèi)資本市場上,最引人關(guān)注的板塊概念非第三代半導體莫屬。第三代半導體為啥火了?除了一些可能出臺的政策助推外,關(guān)鍵在于第三代半導體材料研發(fā)為我國半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“彎道超車”提供了機遇。與前兩代半導體材料相比,第三代半導體材料碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的物理特性更優(yōu)異,在光電子、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域?qū)l(fā)揮更大作用。隨著我國5G等新一代通信技術(shù)快速發(fā)展,第三代半導體材料應(yīng)用將駛上快車道。
談到第三代半導體,揚杰科技近年來在相關(guān)領(lǐng)域取得了一定成績。作為半導體產(chǎn)業(yè)集設(shè)計、制造和銷售于一體的集成電路系統(tǒng)集成服務(wù)商(IDM),江蘇揚州揚杰電子科技股份有限公司多年位列中國功率半導體公司前列,該公司各類電力電子器件芯片、功率二極管等廣泛應(yīng)用于5G、電力電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領(lǐng)域。尤其在第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等中高端功率芯片、器件領(lǐng)域,揚杰科技聯(lián)合北京大學、電子科技大學等高校,取得重大技術(shù)突破,填補了同類產(chǎn)品在國內(nèi)的空白。
今年4月份,揚杰科技功率半導體器件及集成電路封裝測試項目主體工程在揚州開工,該項目總投資30億元,通過建設(shè)高水平智能終端用超薄微功率半導體芯片封測基地,實現(xiàn)高端功率半導體自主生產(chǎn)。
揚杰科技總經(jīng)理劉從寧介紹,為加快關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān),揚杰科技近3年累計研發(fā)投入2.73億元,實現(xiàn)了從芯片制造到器件IDM垂直整合,目前已擁有各類授權(quán)專利273件,發(fā)明專利46件。