為什么只有在晶圓背面減薄時會使用griniding工藝？在芯片制程中并未看到該工藝，同樣有減薄作用，為什么在芯片制程中用的是cmp？

       Grinding與cmp的原理？
       Grinding，機械磨削，是一種單純用機械力去除晶圓表面材料的工藝。一般不會用到研磨液，只是用超純水進行清洗或帶走產生的碎屑和熱量。
       而cmp是化學機械研磨，是化學反應與機械力結合去除材料的工藝。目標材料先和cmp slurry中的氧化劑，酸，堿等發生微反應，在在拋光頭，拋光墊，slurry中的磨料的共同作用下，通過機械力將微反應生成的反應物去除，達到減薄，拋光的目的。
       為什么一般grinding只能用在晶圓減薄而不用在芯片的制造？
       1，Grinding材料去除速率很高，減薄工藝通常需要去除數百微米的材料，用cmp來減薄速率慢且晶圓背面沒有必要保持那么小的粗糙度。
       2，Grinding加工成本低，不需要slurry，機臺結構相對來說簡單。
但在芯片制造過程中，芯片的每一層都需要極高的平整度和粗糙度，而單純的機械磨削會產生大量的缺陷，會刮傷圖形，且粗糙度過大，因此不適合用在芯片制造中。