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官方微信摘要 名稱碳化硅單晶的制造方法公開號CN101120124公開日2008.02.06主分類號C30B29/36(2006.01)I分類號C30B29/36(2006.01)I;C23C1...
| 名稱 | 碳化硅單晶的制造方法 | ||
| 公開號 | CN101120124 | 公開日 | 2008.02.06 |
| 主分類號 | C30B29/36(2006.01)I | 分類號 | C30B29/36(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/42( |
| 申請號 | CN200680004816.5 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2006.05.23 | |
| 頒證日 | 優先權 | 2005.6.7 JP 167326/2005 | |
| 申請人 | HOYA株式會社 | 地址 | 日本東京都 |
| 發明人 | 河原孝光;八木邦明;八田直記;長澤弘幸 | 國際申請 | 2006-05-23 PCT/JP2006/310225 |
| 國際公布 | 2006-12-14 WO2006/132082 日 | 進入國家日期 | 2007.08.14 |
| 專利代理機構 | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人 | 張平元;趙仁臨 |
| 摘要 | 本發明提供一種碳化硅單晶的制造方法，在使碳化硅單晶在單晶基板上外延生長時，能夠減少在碳化硅單晶內產生的表面缺陷。該方法是在單晶基板(1)的表面使碳化硅單晶層外延生長的碳化硅單晶的制造方法，其中，在上述單晶基板(1)的表面，形成在與該基板表面(1)基本平行的一個方向上延伸的多個起伏(2)，且該起伏(2)在上述單晶基板的厚度方向上波動，并且，設置該起伏(2)，使得由伴隨著碳化硅單晶的外延生長而傳播的反相區域邊界面和/或雙晶帶形成的表面缺陷彼此會合。 | ||
豫公網安備41019702003604號