摘要 名稱電沉積金-碳化硅復合鍍層公開號85100021公開日1986.01.10 主分類號C25D15/00分類號C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02申請?zhí)?5100...
名稱 | 電沉積金-碳化硅復合鍍層 | ||
公開號 | 85100021 | 公開日 | 1986.01.10 |
主分類號 | C25D15/00 | 分類號 | C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02 |
申請?zhí)?/td> | 85100021 | ||
分案原申請?zhí)?/td> | 申請日 | 1985.04.01 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請人 | 天津大學 | 地址 | 天津市南開區(qū)七里臺 |
發(fā)明人 | 郭鶴桐; 王兆勇; 邱訓高 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構(gòu) | 天津大學專利代理事務所 | 代理人 | 張宏祥; 曲遠方 |
摘要 | 一種用于繼電器觸點的抗電侵蝕的耐磨復合鍍層,是用電鍍方法沉積在銅合金或其他金屬基體上.復合鍍層中彌散有占鍍層體積0.1-10%,粒徑小于0.5微米的SiC 微粒.這種金基復合鍍層具有比純金高的顯微硬度,低的摩擦系數(shù),接觸電阻略大于金,但低于金合金,并且耐電侵蝕性、抗腐蝕及抗變色能力強.這種Au-SiC復合鍍層可在含有SiC微粒的,氰化物的、酸性的及亞硫酸鹽的鍍金溶液中獲得. |