摘要:本發明涉及一種納米碳化硅的制備方法,屬于納米材料技術領域。將納米二氧化硅和炭質材料混合均勻,然后將混合物壓制成片并燒結后作為陰極,以石墨為陽極,將陰極和陽極放入熔融的氯化物熔鹽電解質中,在500℃~1000℃溫度下,在陰極和陽極之間施加電壓進行電解,將陰極制備得到的產物依次經過堿洗、水洗和干燥,最終得到高純度的納米SiC。該工藝具有流程短、能耗低,對環境友好等特點。
申請人: 昆明理工大學
地址: 650093 云南省昆明市五華區學府路253號
發明(設計)人: 馬文會 謝江生 魏奎先 秦博 伍繼君 謝克強 周陽 龍萍 楊斌 戴永年
主分類號: C01B31/36(2006.01)I
分類號: C01B31/36(2006.01)I B82Y30/00(2011.01)I