日立化成( Hitachi Chemical)30日發(fā)布新聞稿宣布,因半導(dǎo)體元件需求增加、提振半導(dǎo)體研磨材料需求攀高,故決議投下約30億日圓、于臺日據(jù)點進(jìn)行增產(chǎn)投資,目標(biāo)在2018年夏天將半導(dǎo)體研磨材料「Nano Ceria Slurry產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的約5倍。
「Nano Ceria Slurry」為日立化成化學(xué)機(jī)械研磨液 (CMP Slurry)的新產(chǎn)品,和原有產(chǎn)品相比、可將半導(dǎo)體基板的研磨傷痕減低至1/10左右水準(zhǔn)。
日立化成指出,該公司目前于日本山崎事業(yè)所生產(chǎn)「Nano Ceria Slurry」,此次除計劃擴(kuò)增山崎事業(yè)所產(chǎn)能之外,為了及時因應(yīng)亞州半導(dǎo)體廠商的需求,也將在臺灣子公司「臺灣日立化成電子材料股份所限公司(Hitachi Chemical Electronic Materials (Taiwan) Co., Ltd. )」導(dǎo)入新量產(chǎn)設(shè)備、開始生產(chǎn)「Nano Ceria Slurry」。
日立化成并于30日盤后公布今年度前三季(2017年4-12月)財報;因3D NAND Flash需求夯、提振CMP Slurry銷售增加,加上PCB用感光膜等產(chǎn)品需求佳,帶動合并營收大增24.2%至4,977億日圓,不過因提列電容事業(yè)違反獨占禁止法相關(guān)費用,拖累合并營益下滑11.8%至359億日圓、合并純益萎縮5.6%至295億日圓。
日立化成并指出,因預(yù)估本季(2018年1-3月)智慧手機(jī)市況將惡化,導(dǎo)致電子材料、樹脂材料銷售恐遜于預(yù)期,因此將今年度(2017年4月-2018年3月)合并營益目標(biāo)自原先預(yù)估的510億日圓下修至490億日圓、合并純益自405億日圓下修至400億日圓,合并營收則維持于原先預(yù)估的6,700億日圓不變。
根據(jù)嘉實XQ全球贏家系統(tǒng)報價,截至臺北時間31日上午12點15分為止,日立化成大跌3.34%至2,837日圓,創(chuàng)一個半月來(2017年12月15日以來)新低水準(zhǔn)。
在市場份額占比方面, CMP 研磨液的占比中美國 Cabot 公司保持世界最高份額,但是, Cabot 的市場占有率 2001 年占比 75%, 2003 年占比 65%, 2010 年占比 38%, 2015 年占比 36%,可見隨著 CMP 市場的擴(kuò)大, Cabot 的壟斷地位依舊穩(wěn)固,下降速度緩慢。未來 CMP 研磨液供應(yīng)市場朝向多元化方向發(fā)展,地區(qū)本土化自給率在逐漸提升。 2016 年公布數(shù)據(jù)信息顯示, Cabot 公司份額占比下降 1%至 35%,但仍然位居世界第一;美國 Versum 公司在 2016 年市場份額下滑,因此排名從第二位下降至第三位;日本日立化學(xué)(Hitachi)由于積極搶占亞洲市場而上升至第二位;排在第四位的是日本的 Fujimi,第五位的是日本的
FijiFilm,第六位是美國的陶氏化學(xué)(Dow)。由此可見,目前針對亞洲 CMP 研磨液市場主要還是由美日公司壟斷.
2011 至 2016 年世界范圍內(nèi) Cabot 公司 CMP 研磨液市場占比統(tǒng)計
安集微:中國大陸唯一高端研磨液供應(yīng)商
安集微電子董事長王淑敏,被稱為半導(dǎo)體界花木蘭,她如何在外商長期把持的半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,拼出讓國際大廠不敢輕忽的實力?
小心翼翼換上無塵服,套好潔凈靴、口罩、手套,通過風(fēng)淋室再吹去灰塵,《遠(yuǎn)見》記者們踏進(jìn)大陸唯一一家本土半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械研磨液材料商安集微電子的實驗室,只見里頭的工作人員,正用生產(chǎn)線上機(jī)臺實驗,將乳白液體滴點在晶圓上,細(xì)細(xì)拋光。
可別小看這一滴滴乳白液體,這可是半導(dǎo)體制程中最關(guān)鍵的材料之一:化學(xué)機(jī)械研磨液。工程師杜銘宇一面導(dǎo)覽一面說:「不同制程迭代升級,研磨液都有不同的配方。」
只要詢問晶圓廠的工程主管,他們都同意,制造程序中,化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)被認(rèn)為是最精密、很傷成本,也絕不能出錯的程序。面對制程愈來愈微縮的趨勢,更變得愈來愈不可或缺,90納米以下的制程一定會用到,甚至這道工序還要做好幾次。
過往,這些半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械研磨液體等關(guān)鍵材料,全部都掌握在外商手里,例如美商嘉柏微電子、陶氏化學(xué),地位難以撼動,對不少半導(dǎo)體晶圓廠來說,更不太可能替換材料供應(yīng)商,因為一個閃失就可能大大影響良率,損失難以估計。
但如今,后起之秀從大陸崛起。
大陸十年來已成功孕育出第一家本土公司安集,不僅大陸第一大晶圓廠中芯國際埋單,據(jù)傳2012年時更賣進(jìn)全球最大半導(dǎo)體公司、制程技術(shù)一直最領(lǐng)先的英特爾(Intel ),也已是臺積電、聯(lián)電、日月光的合格供應(yīng)商。
很難想像,在這大多都是理工男的半導(dǎo)體領(lǐng)域,安集背后的靈魂人物,竟是一位女性。董事長兼首席執(zhí)行官王淑敏,被媒體昵稱為大陸半導(dǎo)體界的花木蘭,外表看來纖瘦秀氣,但說起話來卻宏亮。員工形容她是大陸半導(dǎo)體界第一美女,又是極有魄力的鐵娘子。
王淑敏則說自己是「書本上定義的海歸派」。1986年鄭州大學(xué)化學(xué)系畢業(yè),讀了兩年南開大學(xué)碩士班,便到美國名校萊斯大學(xué)攻讀化學(xué)博士,畢業(yè)后便加入IBM,后來又踏入半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,擔(dān)任嘉柏微電子亞洲技術(shù)總監(jiān)。
當(dāng)時,王淑敏即時常往返美國及亞洲,發(fā)現(xiàn)亞洲半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足,看到商機(jī)的王淑敏,毅然在2004年時返回大陸創(chuàng)業(yè),從第一天就想辦世界級的公司,做半導(dǎo)體制程的高端研磨液。
從無到有非常辛苦,「困難到想起來都要掉眼淚的,」她回顧。所幸,王淑敏在半導(dǎo)體界有響亮名聲,很快地找到幾個重量級投資人及政府單位投資支持,才能撐到今天,堪稱十年磨一劍。
只不過,初期開發(fā)客戶時,仍然很殘酷。「人家每次一看,唉喲,你是中國公司,做化學(xué)機(jī)械研磨拋光液?」不少客戶眉頭一皺覺得這產(chǎn)品肯定是山寨,否則就是品質(zhì)沒保障,甚至一開始連大陸的前幾大晶圓代工廠中芯國際、華虹宏力,都保持懷疑態(tài)度,「人家可能就測驗三個項目,我們則要反覆驗證不知幾次,就像跳一個高得像墻的門檻一般。」
要切入半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈,到底有多難?第一步,要先提供數(shù)據(jù)審核,在還沒客戶的狀況下,就必須先想辦法生出在實際半導(dǎo)體制程中,化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備上實驗的數(shù)據(jù)報告。
通過書面審查,客戶才愿意小量嘗試,程序很嚴(yán)酷。一位晶圓廠主管說:「就看良率怎樣,一翻兩瞪眼。」小量驗證如果通過,才能進(jìn)入更正式檢驗程序,同樣也看良率,沒有商量余地。
通常,一家新進(jìn)材料業(yè)者要名列合格供應(yīng)商名單,最少一年半載,甚至更長。
一路過關(guān)斬將「夠強(qiáng)人家才會幫你」
王淑敏形容,這些驗證程序,就跟奧運會比賽一樣,有初篩選、預(yù)賽、復(fù)賽、半決賽、總決賽……,一關(guān)過一關(guān)。
然而,機(jī)會是留給準(zhǔn)備好的人。有一次,面對一個大客戶,安集只是「備選」,但因為國外材料大廠供貨出問題,又不能讓生產(chǎn)線停下來,客戶便姑且給了一次機(jī)會,沒想到一次應(yīng)急事件,卻讓客戶刮目相看,此事也在半導(dǎo)體界傳開,「這是硬碰硬拼出來的!」王淑敏回憶。
另外,雖然不少化學(xué)機(jī)械研磨液專利早在2000年時,就卡死在外商手里,但是因為制程快速變遷,舊專利已經(jīng)不符時代,便給新進(jìn)廠商大顯身手的機(jī)會。
王淑敏比喻,化學(xué)機(jī)械研磨液,要求精細(xì)的程度到10~20個埃米(angstrom),等于細(xì)到頭發(fā)的十萬分之一,「就像一頭恐龍要管理螞蟻王國一般困難。」
但她做到了。
近幾年來安集陸續(xù)得到肯定。被稱為中國半導(dǎo)體第一人、展訊創(chuàng)辦人陳大同在演講里曾提及,「安集是大陸唯一化學(xué)機(jī)械研磨液半導(dǎo)體材料商,每年成長40~60%。」
中國科學(xué)院微電子所所長葉甜春回想,本土的半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈,這幾年是從無到有,萬分艱辛,但是「一個個都冒出頭來了」。
今日的安集,正是這環(huán)環(huán)相扣供應(yīng)鏈中的一個大陸代表。
去年,大陸國務(wù)院推出1200億人民幣的集成電路投資基金,王淑敏嘴角露出微笑,「對我們苦過來的人,還是覺得too
little, too late,不過這的確迎來了一個勢頭,等于幫行業(yè)造了聲勢,」要真正有實力的公司才可能拿到投資,「絕對不是天上掉下來一大把鈔票,要自己夠強(qiáng),人家才會幫你!」
CMP 研磨液產(chǎn)品種類多,成分復(fù)雜技術(shù)壁壘高
CMP 研磨液(Slurry)是平坦化工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物, Slurry主要是由研磨劑(Abrasive)、表面活性劑、 PH 緩沖膠、氧化劑和防腐劑等成分組成,其中研磨劑一般包括納米級二氧化硅(SiO2)、納米級三氧化二鋁(Al2O3)、納米級氧化鈰(CeO2)。其他添加劑一般根據(jù)所需研磨材料不同而所選取的不同類型的研磨液,由此可分為晶圓表面研磨液、金屬銅研磨液和金屬鎢研磨液以及其他特殊研磨液。當(dāng)今的研磨液配方類型中, SiO2 占有主流位置, Al2O3 僅僅在金屬鎢的研磨液中存在有限使用,究其原因是其硬度過高,易造成表面缺陷。
晶圓表面研磨液的一種選用 SiO2 的溶膠與去離子水混合配置成研磨劑,利用一定體積分?jǐn)?shù)的雙氧水(H2O2)作為氧化劑,利用乙酸(CH3COOH)和乙胺(C2H5NH2)緩沖溶液作為穩(wěn)定劑調(diào)價 PH 值。從而配置成晶圓表面的研磨液。晶圓研磨過程中的原理為堿性的 SiO2漿料中,晶圓表面的 Si 受氫氧根離子(OH-)腐蝕后生成硅酸根離子(SiO32-), SO32-水解過程中形成的動態(tài)平衡實現(xiàn)產(chǎn)物硅酸(H2SiO3)的能部分聚合城多硅酸粒子從而形成膠體,由于此動態(tài)平衡過程受 PH 值影響很明顯,因此晶圓表面的研磨液作用效果受 PH 值得明顯影響。
同時,在研磨過程中,硅酸膠體在晶圓表面形成一層鈍化薄膜, H2O2 的濃度和含量影響鈍化薄膜的機(jī)械除膜速率和鈍化膜的生長速率,同時 H2O2 含量高時,會與配方中的堿性物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)從而降低 PH 值,因此也是一個動態(tài)平衡的過程。除以上因素外,溫度控制是影響反應(yīng)活性的外界參數(shù),控制合理的溫度配合事宜的 PH 值和氧化劑濃度能夠?qū)崿F(xiàn)研磨中化學(xué)腐蝕的最佳效果。但是,化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的共同作用決定了研磨效果,因此機(jī)械作用中研磨墊、 研磨壓力、轉(zhuǎn)速和時間均決定了最終的研磨效果。
在晶圓表面研磨液中 SiO2 漿料是整個配方成分的核心,目前處于國外企業(yè)壟斷中。其合成方法包括分散法和凝聚法,分散法的過程包括二氧化鈦納米顆粒在液體中潤濕、團(tuán)聚體在機(jī)械攪拌力作用下被打散成原生粒子或較小的團(tuán)聚體、穩(wěn)定原生粒子或較小團(tuán)聚體組織發(fā)生再團(tuán)聚。 1992 年,美國卡博特(CabotCorporation)公司的 Hector 首先公布了不含穩(wěn)定劑的 SiO2 漿料及其制備方案專利,此發(fā)明提供了一種穩(wěn)定的,非膨脹的,低粘度的,可過濾的 SiO2 膠體漿料,其中不含堿和穩(wěn)定劑,其含硅比重高達(dá) 35%。
1993 年, Cabot 公司的 Miller跟進(jìn)公布了含酸和穩(wěn)定劑的 SiO2 漿料的發(fā)明專利,此發(fā)明提供了更高的硅比重達(dá)到 40%,酸比例在 0.0025%~0.50%之間,同時配方中含有的穩(wěn)定劑(緩沖液)使溶液 PH 值能控制在 7~12 之間,并且分散在水中。隨后美國的孟山都公司(Monsanto)、美國的杜邦公司(Dupont)、美國的納爾科公司(Nalco)、美國的格蕾絲(Grace)公司等分別開發(fā)了相關(guān)商業(yè)化的 SiO2漿料產(chǎn)品,但是其部分配方并未直接以專利形式公開。
2000 年后,中國科學(xué)教投入了相關(guān)研究應(yīng)用,華東理工大學(xué)技術(shù)物理研究所的何斌等人,使用母液分散法制得的 SiO2 漿料濃度可達(dá) 30%,由于加入了表面含有羥基的活性劑,得到的 SiO2 的漿料分散效果較好; 2002 年弗羅里達(dá)大學(xué)的 Basim 等使用 0.2μm 的單一粒徑 SiO2 粉和蒸餾水來制備漿料,為了得到穩(wěn)定漿料,利用 CnTAB(n=8、 10、 12)系列表面活性劑作漿料的穩(wěn)定劑,超聲分散得到硅比重為 12%的穩(wěn)定漿料。 2008 年日本日立化成工業(yè)株式會社的大森義和等人也通過電化學(xué)方法添加雜環(huán)化合物抑制阻擋導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的接觸腐蝕研磨液,選用的也是分散法制備的硅漿料。
凝聚法是利用是利用水溶液化學(xué)反應(yīng)所生成的二氧化硅通過成核、生長,采用各種方法脫除其中雜質(zhì)離子制得的 SiO2 水分散體系的一種方法,該方法制備而成的 SiO2 漿料顆粒粒徑均一,形狀規(guī)整,純度與濃度較高,且原料便宜,生產(chǎn)成本較低。 SiO2 漿料按照原料路線可以分為硅酸鈉水解和正硅酸乙酯(醇鹽)水解法 2 種,硅酸鹽水解又包括酸中和法、電滲析法、離子交換法三種。最為常用的離子交換法。其中離子交換法最為常用,2001 年德國羅斯托克大學(xué)的 Knoblich等人利用離子交換法制得了 SiO2 研磨漿料,其制備過程 PH 影響較為明顯。
2001年,挪威電子科技大學(xué)的 Rao 等人利用 Amberlite 的離子交換樹脂置換硅酸鈉得到 PH 值為 2.4 的硅酸,用氨水滴定凝膠化從而得到 SiO2 膠。 2003 年臺南技術(shù)大學(xué)的 Tsai 等將硅酸鈉通過陽離子交換樹脂除去鈉離子制得活性硅酸,利用KOH 滴定此硅酸溶液制得 SiO2溶膠,其實驗結(jié)果的穩(wěn)定性較差。醇水解法是在醇介質(zhì)中催化水解正硅酸乙酯(TEOS)來制備單分散二氧化硅漿料。 2001 年印度尼赫魯先進(jìn)材料中心的 Sudheendra 等人探索了以縮氨酸為催化劑水解正硅酸乙酯(TEOS)制取 SiO2 漿料的方法。
2002 年美國國家能源部下屬的勞倫斯利弗莫爾國家實驗室的 Suratwala 等人將硅酸乙酯(TEOS)和氨水的混合物溶于乙醇介質(zhì)中,調(diào)節(jié)乙醇、氨水、水和 TEOS 比例,水解縮合反應(yīng)制得不同濃度的 SiO2 漿料。 2004 年日本千葉大學(xué)的 Nishino 等強(qiáng)力攪拌含有聚乙烯醇(PVA)的硝酸溶液,然后加入 TEOS 得到均勻的 SiO2漿料。