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用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法

關鍵詞碳化硅表面 , 晶體生長|2011-06-23 16:29:24|行業專利|來源中國磨料磨具網

摘要名稱用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法公開號1050949公開日1991.04.24主分類號H01L21/205分類號H01L21/205;H01L21/306申請號9010828...

名稱	用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法
公開號	1050949	公開日	1991.04.24
主分類號	H01L21/205	分類號	H01L21/205;H01L21/306
申請號	90108281.3
分案原申請號		申請日	1990.10.11
頒證日		優先權	[32]1989.10.13[33]US[31]421375
申請人	克里研究公司	地址	美國北卡羅來納州
發明人	約翰·Ｗ·帕穆爾; 華雙·孔; 約翰·Ａ·愛德蒙	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人	段承恩
摘要	本發明是在一塊單晶碳化硅晶體上形成一個基本的平表面的方法，將基本的平表面暴露在腐蝕性等離子體中，直至任何因機械制備該表面而引起的表面或表面下的損傷基本上被消除。然而,腐蝕是有限的，持續時間不超過在表面上等離子腐蝕發展新缺陷或者使現有缺陷惡化所要的時間，同時采用等離子體氣體和電極系統，它們本身不會在表面中惡化或者引起顯著的缺陷

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