摘要 名稱電沉積金-碳化硅復(fù)合鍍層公開(kāi)號(hào)85100021公開(kāi)日1986.01.10 主分類號(hào)C25D15/00分類號(hào)C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02申請(qǐng)?zhí)?5100...
名稱 | 電沉積金-碳化硅復(fù)合鍍層 | ||
公開(kāi)號(hào) | 85100021 | 公開(kāi)日 | 1986.01.10 |
主分類號(hào) | C25D15/00 | 分類號(hào) | C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02 |
申請(qǐng)?zhí)?/td> | 85100021 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/td> | 申請(qǐng)日 | 1985.04.01 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 天津大學(xué) | 地址 | 天津市南開(kāi)區(qū)七里臺(tái) |
發(fā)明人 | 郭鶴桐; 王兆勇; 邱訓(xùn)高 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 天津大學(xué)專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 張宏祥; 曲遠(yuǎn)方 |
摘要 | 一種用于繼電器觸點(diǎn)的抗電侵蝕的耐磨復(fù)合鍍層,是用電鍍方法沉積在銅合金或其他金屬基體上.復(fù)合鍍層中彌散有占鍍層體積0.1-10%,粒徑小于0.5微米的SiC 微粒.這種金基復(fù)合鍍層具有比純金高的顯微硬度,低的摩擦系數(shù),接觸電阻略大于金,但低于金合金,并且耐電侵蝕性、抗腐蝕及抗變色能力強(qiáng).這種Au-SiC復(fù)合鍍層可在含有SiC微粒的,氰化物的、酸性的及亞硫酸鹽的鍍金溶液中獲得. |