摘要:多孔碳化硅陶瓷的制備方法,它涉及一種碳化硅陶瓷的制備方法。本發明為了解決現有方法制備的多孔碳化硅陶瓷力學性能低、孔隙率低的技術問題。本方法如下:一、制備漿料;二、制備多孔陶瓷生坯;三、制備預制體;四、制備碳凝膠;五、制備多孔碳化硅與碳凝膠的復合材料;六、制備多孔碳化硅和炭氣凝膠的復合材料;七、將多孔碳化硅和炭氣凝膠的復合材料與單質硅粉放入燒結爐中燒結,即得多孔碳化硅陶瓷。本發明制備的多孔碳化硅開口孔隙率為30~83%、孔徑尺寸為0.3~100m,孔隙可以實現均勻分布或定向排列。通過三點彎曲試驗測試,最終制得的孔隙率為47.8%的多孔碳化硅陶瓷材料的抗彎強度達164.62MPa。
申請人: 哈爾濱工業大學
地址: 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號
發明(設計)人: 葉楓 劉強 侯趙平 劉仕超 張海礁
主分類號: C04B38/06(2006.01)I
分類號: C04B38/06(2006.01)I C04B35/565(2006.01)I C04B35/622(2006.01)I