申請日: 2014.12.09
國家/省市: 中國西安(87)
公開號: 104625888A
公開日: 2015.05.20
主分類號: B24B 1/00(2006.01)
分類號: B24B 1/00(2006.01)
申請人: 陳建秋
發明人: 陳建秋
代理人: 劉斌
代理機構: 61220
申請人地址: 陜西省西安市科技路20號
摘要: 本發明碳化硅光學鏡面加工方法涉及鏡面加工領域,具體涉及碳化硅光學鏡面加工方法,包括以下步驟:將磨料與水按質量比1:1混合調勻備用;粗磨,工件粗磨時,磨具采用碳化硅盤,在研磨過程中不斷的將調好的磨料加入磨具與工件之間,并以一定的壓力和相對運動速度進行研磨;細磨階段一般采用研磨法,磨具沿用粗磨階段磨具,磨料選用粒徑在10~100um之間的碳化硼粉或金剛石微粉,與粗磨相似,在研磨過程中不斷的將調好的磨料加入磨具與工件之間,并以一定的壓力和相對運動速度進行研磨;本發明可對碳化硅鏡面加工,能保證加工精度,提高上產效率,降低成本及工人勞動強度,具有一定的經濟價值。
主權利要求 1.一種碳化硅光學鏡面加工方法,其特征在于,包括以下步驟:第一步,將磨料與水按質量比1:1混合調勻備用;第二步,粗磨,工件粗磨時,磨具采用碳化硅盤,在研磨過程中不斷的將調好的磨料加入磨具與工件之間,并以一定的壓力和相對運動速度進行研磨;第三步,細磨階段一般采用研磨法,磨具沿用粗磨階段磨具,磨料選用粒徑在10~100um之間的碳化硼粉或金剛石微粉,與粗磨相似,在研磨過程中不斷的將調好的磨料加入磨具與工件之間,并以一定的壓力和相對運動速度進行研磨;細磨過程中的壓力與相對速度也不宜過大,但是由于細磨階段磨具與工件之間接觸更緊密,接觸面積變大,因此壓力與速度可以比粗磨階段相應加大;第四步,拋光,在拋光階段的初期,采用聚氨酯制成的拋光盤,以較大的壓力和較高的速度,以提高拋光效率;當細磨階段的下表面破壞層被完全去除后,就應當逐漸降低壓力與速度,以便于更好的控制面形精度,在拋光的最后階段采用瀝青拋光盤。