東莞市副市長張科3月22日松山湖會見了中國科學院院士、中科院半導體研究所所長李樹深一行。張科表示，培育一個新的產業(yè)關鍵是要培育龍頭企業(yè)，希望目前莞研發(fā)十分成熟的碳化硅（SiC）外延晶片能盡快實現規(guī)?；慨a。

　　五年內實現超百億產值

　　據介紹，東莞市天域半導體科技有限公司（以下簡稱“天域半導體”）是全國首家進行碳化硅（SiC）外延晶片技術研發(fā)、生產和銷售的企業(yè)，天域半導體與中科院半導體研究所合作研發(fā)的第三代半導體碳化硅（SiC）外延晶片技術目前已非常成熟，項目預計五年內實現超百億元的產值。

　　據天域半導體董事長歐陽忠介紹，新一代碳化硅半導體材料與器件新材料、新能源、節(jié)能環(huán)保以及武器裝備、國家安全等國家重大領域具有重要的戰(zhàn)略地位，而最新技術的第三代碳化硅外延晶片市場需求量巨大，天域半導體保守估計五年內實現超百億產值。　張科對松山湖企業(yè)具有的戰(zhàn)略眼光和市場敏銳度給予高度評價。

　　進軍碳化硅器件研發(fā)生產

　　李樹深介紹，國內碳化硅器件需求占全球市場的50%，但是目前完全依賴進口，沒有自主的生產技術，像天域半導體生產的碳化硅外延片需要出口到國外，由國外生產成器件再出口給中國，這就使得國內一些重大關鍵裝備上受制于人。

　　據悉，過去幾年內，天域半導體引進了廣東省第三代半導體碳化硅材料和器件研發(fā)及產業(yè)化創(chuàng)新科研團隊，還從美國、德國、匈牙利等國家引進了一批頂尖的生產設備，并培養(yǎng)了一大批技術人才，目前碳化硅器件產業(yè)化制造技術的研發(fā)已全面展開。

　　李樹深建議，對于器件產業(yè)化技術進行獨立研發(fā)不是最好的選擇，而是要聯合下游對于該類器件具有重要需求的企業(yè)一起進行開發(fā)，這樣一來技術和市場會更有保證。

　　對此，張科表示，如果能碳化硅器件上實現進口替代，將具有十分重要的意義，希望企業(yè)能夠積極開展國家級重大科技專項和高新技術企業(yè)的申報工作，也力爭成為該產品國際標準的制定者。