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SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹

SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹
SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹
SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹

通過改進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體襯底的研磨拋光工藝以降低成本3M精密電子研磨材料用于研磨半導(dǎo)體、電子器件和功率半導(dǎo)體的基板,如SiC晶片(碳化硅)、GaN(氮化鎵)和Ga2O3晶片(...

日期 2024-11-22   
投資3.5億美元,泰國將建立首個(gè)碳化硅(SiC)晶圓工廠

投資3.5億美元,泰國將建立首個(gè)碳化硅(SiC)晶圓工廠

據(jù)泰國媒體近日報(bào)道,泰國計(jì)劃建立其首家碳化硅(SiC)晶圓工廠,預(yù)計(jì)將在2027年正式投入運(yùn)營,標(biāo)志著泰國在半導(dǎo)...

日期 2024-10-29   

碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅作為一種新興的半導(dǎo)體材料,具有導(dǎo)熱率高、寬禁帶、高擊穿電場、高電子遷移率等特性,使得其成為目前研發(fā)比較集中的半導(dǎo)體材料之一。因?yàn)檫@些性能,碳化硅可以廣泛地應(yīng)用于襯...

日期 2024-08-05   

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

SiC作為襯底材料,單晶SiC的表面粗糙度直接影響其在電子器元件中工作的效果與性能。為確保單晶SiC在半導(dǎo)體、襯底材料中的應(yīng)用的穩(wěn)定性,其表面粗糙度往往要達(dá)到納米級或以...

日期 2024-06-27   

砂輪參數(shù)對SiC減薄工藝的影響

0引言SiC器件正面工藝完成后,需要用到減薄工藝對襯底進(jìn)行減薄加工,降低器件的導(dǎo)通電阻。尤其對于600-1200V的中低壓SiC器件,襯底電阻帶來的損耗影響了SiC器件...

日期 2024-05-30   

SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研

SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研
SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研
SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研

Part01三代半導(dǎo)體市場1.半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程硅基材料是目前電力電子領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料,也是目前主流邏輯芯片和功率器件的基礎(chǔ)。第一代元素半導(dǎo)體,主要包括以硅...

日期 2024-05-29   
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件...

日期 2023-06-16   
DISCO推出新型自動(dòng)研磨機(jī),可加工8英寸的硅和SiC晶圓

DISCO推出新型自動(dòng)研磨機(jī),可加工8英寸的硅和SiC晶圓

近日,DISCO公司開發(fā)了DFG8541,這是一款全自動(dòng)研磨機(jī),可以加工最大尺寸為8英寸的硅和SiC晶圓。它已在...

日期 2023-01-13   

這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN

這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN
這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN
這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN

在“SEMICONJapan2022”(2022年12月14日至16日,東京國際展示場)上,首次舉辦了“學(xué)術(shù)獎(jiǎng)”,以表彰有前途的大學(xué)/研究生院半導(dǎo)體研究。最高獎(jiǎng)?lì)C發(fā)給大...

日期 2023-01-09   
通化市碳化硅(SiC)超細(xì)粉體對外合作項(xiàng)目

通化市碳化硅(SiC)超細(xì)粉體對外合作項(xiàng)目

項(xiàng)目簡介1.1項(xiàng)目背景1.1.1產(chǎn)品簡介碳化硅超細(xì)粉體是一種平均粒徑小于1μm(微米),SiC純度大于99%,游...

日期 2020-01-20   
碳化硅(SiC)增利效應(yīng)拉高 市場競逐日趨白熱化

碳化硅(SiC)增利效應(yīng)拉高 市場競逐日趨白熱化

多家供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體浪潮,從而為在市場上與傳統(tǒng)的硅基器件進(jìn)...

日期 2019-11-08   

SiC功率半導(dǎo)體市場加速攀升 汽車產(chǎn)業(yè)成主要推手

根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement調(diào)查指出,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場將從2017年的3.02億美元,快速成長至2023年的13.99億美元,201...

日期 2018-07-13   

我國半導(dǎo)體大直徑SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

近日,在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。中國...

日期 2018-06-08   

一種通過高速壓制制備高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)Al基復(fù)合材料的方法

申請?zhí)?201710899306.9申請日:2017.09.28國家/省市:中國安徽(34)公開號:107641727A公開日:2018.01.30主分類號:C22C1...

日期 2018-02-06   

一種ZrB2?SiC陶瓷材料注漿成型燒結(jié)方法

申請?zhí)?201720079346.4申請日:2017.01.21國家/省市:中國寧夏(64)主分類號:B03C1/02(2006.01)授權(quán)公告號:206474279U...

日期 2017-09-18   
一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復(fù)合涂層的制備方法

一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復(fù)合涂層的制備方法

申請?zhí)?201710293168.X申請日:2017.04.28國家/省市:中國哈爾濱(93)公開號:10705...

日期 2017-08-31   

一種在鋯鋁碳/碳化硅復(fù)合材料表面制備ZrB2/SiC涂層的方法

申請?zhí)?201710245487.3申請日:2017.04.14國家/省市:中國河南(41)公開號:107056303A公開日:2017.08.18主分類號:C04B3...

鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工

鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工
鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工
鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工

作者:M.Sankar,M.Sankar,K.Rajkumar,S.Santosh摘要:新型工業(yè)產(chǎn)業(yè)對輕量級材料的需求促使了鋁基復(fù)合材料的研發(fā)和制備。在諸多AMMCs中...

日期 2017-02-24   
熱模壓結(jié)合化學(xué)氣相滲透CVI制備Diamond/SiC復(fù)合材料的方法

熱模壓結(jié)合化學(xué)氣相滲透CVI制備Diamond/SiC復(fù)合材料的方法

申請?zhí)枺?01610190733.5申請人:西北工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:劉永勝趙志峰游薔薇趙明晞張青成來飛摘要:本發(fā)明涉...

日期 2016-08-09   

MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜

MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜
MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜
MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜

作者:SangHunNam,MyoungHwaKim,JinHyoBoo摘要:利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法在真空(2.0×10?-6托)和不同溫度范圍(7

日期 2016-04-14   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產(chǎn)業(yè)大會

第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石...

2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國機(jī)精工股份有限公司、中國機(jī)械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。

中國人造金剛石誕生60周年

中國人造金剛石誕生60周年

1963年,我國成功研制出第一顆人造金剛石,經(jīng)過幾代人的拼搏奮斗,實(shí)現(xiàn)了從無到有、從小到大、從弱到強(qiáng)的華麗蝶變。人造金剛石及其制品在我國航空航天、國防軍工、機(jī)床機(jī)械等領(lǐng)域發(fā)揮著愈發(fā)重要的作用。不僅如此,隨著金剛石技術(shù)的選代,金剛石民用領(lǐng)域—培育鉆石迎來了自己的大爆發(fā),中國占據(jù)了世界培育鉆石產(chǎn)量的80%以上,近幾年在國際上產(chǎn)生了巨大影響力。

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